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HSGL160N60UFDTU
品牌 HXY MOSFET(華軒陽電子)
封裝 TO-264
包裝形式
包裝數量 24
庫存數量 120
商品描述
這款IGBT(絕緣柵雙極晶體管)具有600V的集射極擊穿電壓(VCES),可在高達160A的集電極電流(Ic)下工作,最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V,確保了低驅動損耗和快速開關性能。適用于高性能電源管理、電機控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應用場合。
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產品型號 HSGL160N60UFDTU
品牌 HXY MOSFET(華軒陽電子)
封裝 TO-264
包裝數量 24
包裝方式

這款IGBT(絕緣柵雙極晶體管)具有600V的集射極擊穿電壓(VCES),可在高達160A的集電極電流(Ic)下工作,最大功率(Pd)為250W。其柵極閾值電壓(Vge(th))在15V、80A條件下僅為2.6V,確保了低驅動損耗和快速開關性能。適用于高性能電源管理、電機控制以及其他需要高電壓和大電流處理能力的應用場合。

產品分類

 

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